The FOD819 includes a gallium arsenide (GaAs) infrared emitting diode within a 4-pin dual inline plug-inencapsulation driving a silicon photo-darlington output with an integrated base emitter resistor RBE. It is suitable as a higher performance replacement for the popular FOD817 series when higher speed performance is required in isolated data signal transmission.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.