onsemi (Ansemi)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
MBR120LSFT3G 20V 1A 650mV@3A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V

MBR120LSFT3G

20V 1A 650mV@3A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V
رقم القطعة
MBR120LSFT3G
فئة
diode > Schottky diode
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
التغليف
SOD-123FL
التعبئة
taping
عدد الطرود
10000
وصف
Using the Schottky diode potential barrier principle, a large area metal-silicon power diode is used. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system. This encapsulation is also an easy-to-use alternative to the leadless 34 encapsulation style. Due to its small size, it is suitable for portable and battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 82647 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لMBR120LSFT3G
MBR120LSFT3G مكونات الكترونية
MBR120LSFT3G مبيعات
MBR120LSFT3G المورد
MBR120LSFT3G موزع
MBR120LSFT3G جدول البيانات
MBR120LSFT3G الصور
MBR120LSFT3G سعر
MBR120LSFT3G يعرض
MBR120LSFT3G أقل سعر
MBR120LSFT3G يبحث
MBR120LSFT3G شراء
MBR120LSFT3G رقاقة