onsemi (Ansemi)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
NSVMUN5312DW1T2G 1 NPN, 1 PNP - Pre-biased 100mA 50V Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)

NSVMUN5312DW1T2G

1 NPN, 1 PNP - Pre-biased 100mA 50V Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
رقم القطعة
NSVMUN5312DW1T2G
فئة
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
التغليف
SOT-363-6
التعبئة
taping
عدد الطرود
3000
وصف
This family of digital transistors is suitable for replacing a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) consists of a monolithic bias network consisting of a single transistor and two resistors. Series base resistor and base resistor. The BRT eliminates the need for these separate components, which are integrated into a single device. Using BRT can reduce system cost and save board space.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 50940 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لNSVMUN5312DW1T2G
NSVMUN5312DW1T2G مكونات الكترونية
NSVMUN5312DW1T2G مبيعات
NSVMUN5312DW1T2G المورد
NSVMUN5312DW1T2G موزع
NSVMUN5312DW1T2G جدول البيانات
NSVMUN5312DW1T2G الصور
NSVMUN5312DW1T2G سعر
NSVMUN5312DW1T2G يعرض
NSVMUN5312DW1T2G أقل سعر
NSVMUN5312DW1T2G يبحث
NSVMUN5312DW1T2G شراء
NSVMUN5312DW1T2G رقاقة