قد تكون الصورة تمثيلية. راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
RS1M
1kV 1A 500ns
رقم القطعة
RS1M
فئة
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
التغليف
SMA
التعبئة
taping
عدد الطرود
2000
وصف
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 1kV Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 1.3V@1A Reverse current (Ir): 5uA@1kV Reverse recovery time ( trr): 500ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.