شراء Infineon Technologies BSC018NE2LSIATMA1 MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

BSC018NE2LSIATMA1

MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

رقم القطعة

BSC018NE2LSIATMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerTDFN

حزمة جهاز المورد

PG-TDSON-8

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

25V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

29A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

1.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

36nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2500pF @ 12V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 23107 PCS

معلومات الاتصال