شراء Infineon Technologies BSC046N02KSGAUMA1 MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

BSC046N02KSGAUMA1

MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8

رقم القطعة

BSC046N02KSGAUMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerTDFN

حزمة جهاز المورد

PG-TDSON-8

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.8W (Ta), 48W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

19A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

4.6 mOhm @ 50A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.2V @ 110µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

27.6nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4100pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

2.5V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±12V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 41235 PCS

معلومات الاتصال