شراء Infineon Technologies BSC060P03NS3EGATMA1 MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

BSC060P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8

رقم القطعة

BSC060P03NS3EGATMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerTDFN

حزمة جهاز المورد

PG-TDSON-8

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

نوع فيت

P-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

17.7A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.1V @ 150µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

81nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

6020pF @ 15V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

6V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±25V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 31953 PCS

معلومات الاتصال