شراء Infineon Technologies DF120R12W2H3B27BOMA1 IGBT MODULE 800V 50A

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

DF120R12W2H3B27BOMA1

IGBT MODULE 800V 50A

رقم القطعة

DF120R12W2H3B27BOMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Module

أقصى القوة

180W

إعدادات

Three Phase Inverter

حزمة جهاز المورد

Module

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

50A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

1mA

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

2.35nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

Yes

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 13296 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

DF12(3.0)-10DP-0.5V(86)

CONN HEADER 10POS 3MM SMD 0.5MM