شراء Infineon Technologies IPD048N06L3GBTMA1 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IPD048N06L3GBTMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

رقم القطعة

IPD048N06L3GBTMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

حزمة جهاز المورد

PG-TO252-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

115W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

90A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

4.8 mOhm @ 90A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.2V @ 58µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

50nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

8400pF @ 30V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 17288 PCS

معلومات الاتصال