شراء Infineon Technologies IPD80P03P4L07ATMA1 MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

IPD80P03P4L07ATMA1

MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

رقم القطعة

IPD80P03P4L07ATMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

حزمة جهاز المورد

PG-TO252-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

88W (Tc)

نوع فيت

P-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

6.8 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2V @ 130µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

80nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

5700pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

في جي إس (الحد الأقصى)

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 43647 PCS

معلومات الاتصال