شراء Infineon Technologies IPI80N06S3L06XK MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IPI80N06S3L06XK

MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

رقم القطعة

IPI80N06S3L06XK

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

حزمة جهاز المورد

PG-TO262-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

136W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

55V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

5.9 mOhm @ 56A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.2V @ 80µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

196nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

9417pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±16V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 14921 PCS

معلومات الاتصال