شراء Infineon Technologies IPT012N08N5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

IPT012N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

رقم القطعة

IPT012N08N5ATMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerSFN

حزمة جهاز المورد

PG-HSOF-8-1

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

375W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

80V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

300A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

1.2 mOhm @ 150A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.8V @ 280µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

223nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

17000pF @ 40V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

6V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 52906 PCS

معلومات الاتصال