شراء Infineon Technologies IR2011STRPBF HI/LO SIDE DRVR 8SOIC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IR2011STRPBF

HI/LO SIDE DRVR 8SOIC

رقم القطعة

IR2011STRPBF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع الإدخال

Inverting

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

حزمة جهاز المورد

8-SOIC

الجهد - العرض

10 V ~ 20 V

نوع القناة

Independent

التكوين مدفوعة

Half-Bridge

عدد السائقين

نوع البوابة

N-Channel MOSFET

الجهد المنطقي - VIL، VIH

0.7V, 2.2V

التيار - ذروة الخرج (المصدر، المغسلة)

1A, 1A

الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (Bootstrap)

200V

وقت الصعود/السقوط (الطباع)

35ns, 20ns

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 21750 PCS

معلومات الاتصال