قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRF540NLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
رقم القطعة
IRF540NLPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
حزمة جهاز المورد
TO-262
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
130W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
44 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
71nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1960pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 6173 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF540NLPBF
IRF540NLPBF مكونات الكترونية
IRF540NLPBF مبيعات
IRF540NLPBF المورد
IRF540NLPBF موزع
IRF540NLPBF جدول البيانات
IRF540NLPBF الصور
IRF540NLPBF سعر
IRF540NLPBF يعرض
IRF540NLPBF أقل سعر
IRF540NLPBF يبحث
IRF540NLPBF شراء
IRF540NLPBF رقاقة