IRF5803D2TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
رقم القطعة
IRF5803D2TRPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
FETKY™
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
37nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1110pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 52049 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF5803D2TRPBF
IRF5803D2TRPBF مكونات الكترونية
IRF5803D2TRPBF مبيعات
IRF5803D2TRPBF المورد
IRF5803D2TRPBF موزع
IRF5803D2TRPBF جدول البيانات
IRF5803D2TRPBF الصور
IRF5803D2TRPBF سعر
IRF5803D2TRPBF يعرض
IRF5803D2TRPBF أقل سعر
IRF5803D2TRPBF يبحث
IRF5803D2TRPBF شراء
IRF5803D2TRPBF رقاقة