قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRF6633TR1PBF

IRF6633TR1PBF

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
رقم القطعة
IRF6633TR1PBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
DirectFET™ Isometric MP
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ MP
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta), 89W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
5.6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.2V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1250pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 50081 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIRF6633TR1PBF
IRF6633TR1PBF مكونات الكترونية
IRF6633TR1PBF مبيعات
IRF6633TR1PBF المورد
IRF6633TR1PBF موزع
IRF6633TR1PBF جدول البيانات
IRF6633TR1PBF الصور
IRF6633TR1PBF سعر
IRF6633TR1PBF يعرض
IRF6633TR1PBF أقل سعر
IRF6633TR1PBF يبحث
IRF6633TR1PBF شراء
IRF6633TR1PBF رقاقة