IRF7342TRPBF
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
رقم القطعة
IRF7342TRPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
أقصى القوة
2W
حزمة جهاز المورد
8-SO
نوع فيت
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
55V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3.4A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
105 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
690pF @ 25V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 20471 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF7342TRPBF
IRF7342TRPBF مكونات الكترونية
IRF7342TRPBF مبيعات
IRF7342TRPBF المورد
IRF7342TRPBF موزع
IRF7342TRPBF جدول البيانات
IRF7342TRPBF الصور
IRF7342TRPBF سعر
IRF7342TRPBF يعرض
IRF7342TRPBF أقل سعر
IRF7342TRPBF يبحث
IRF7342TRPBF شراء
IRF7342TRPBF رقاقة