شراء Infineon Technologies IRF9Z24NSTRR MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IRF9Z24NSTRR

MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

رقم القطعة

IRF9Z24NSTRR

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

HEXFET®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

حزمة جهاز المورد

D2PAK

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.8W (Ta), 45W (Tc)

نوع فيت

P-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

55V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

175 mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

19nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

350pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 18969 PCS

معلومات الاتصال