قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRFR1010ZTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
رقم القطعة
IRFR1010ZTRRPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
D-Pak
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
140W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
55V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
7.5 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 100µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
95nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2840pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 15536 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRFR1010ZTRRPBF
IRFR1010ZTRRPBF مكونات الكترونية
IRFR1010ZTRRPBF مبيعات
IRFR1010ZTRRPBF المورد
IRFR1010ZTRRPBF موزع
IRFR1010ZTRRPBF جدول البيانات
IRFR1010ZTRRPBF الصور
IRFR1010ZTRRPBF سعر
IRFR1010ZTRRPBF يعرض
IRFR1010ZTRRPBF أقل سعر
IRFR1010ZTRRPBF يبحث
IRFR1010ZTRRPBF شراء
IRFR1010ZTRRPBF رقاقة