شراء Infineon Technologies IRS2609DSPBF IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IRS2609DSPBF

IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC

رقم القطعة

IRS2609DSPBF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tube

نوع الإدخال

Non-Inverting

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

حزمة جهاز المورد

8-SOIC

الجهد - العرض

10 V ~ 20 V

نوع القناة

Synchronous

التكوين مدفوعة

Half-Bridge

عدد السائقين

نوع البوابة

IGBT, N-Channel MOSFET

الجهد المنطقي - VIL، VIH

0.8V, 2.2V

التيار - ذروة الخرج (المصدر، المغسلة)

200mA, 350mA

الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (Bootstrap)

600V

وقت الصعود/السقوط (الطباع)

150ns, 50ns

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 28584 PCS

معلومات الاتصال