شراء Microsemi Corporation APTGT35DA120D1G IGBT 1200V 55A 205W D1

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

APTGT35DA120D1G

IGBT 1200V 55A 205W D1

رقم القطعة

APTGT35DA120D1G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Microsemi Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Discontinued at Digi-Key

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

أقصى القوة

205W

إعدادات

Single

حزمة جهاز المورد

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

55A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

5mA

نوع اي جي بي تي

Trench Field Stop

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 27919 PCS

معلومات الاتصال