شراء Microsemi Corporation APTM100A46FT1G MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

APTM100A46FT1G

MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

رقم القطعة

APTM100A46FT1G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Microsemi Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Bulk

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

SP1

أقصى القوة

357W

حزمة جهاز المورد

SP1

نوع فيت

2 N-Channel (Half Bridge)

ميزة FET

Standard

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

1000V (1kV)

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

19A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

552 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

5V @ 2.5mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

260nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

6800pF @ 25V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 10915 PCS

معلومات الاتصال