شراء ON Semiconductor FDC2612_F095 MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

FDC2612_F095

MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

رقم القطعة

FDC2612_F095

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

PowerTrench®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

حزمة جهاز المورد

SuperSOT™-6

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.6W (Ta)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

200V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

1.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

725 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

11nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

234pF @ 100V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 49114 PCS

معلومات الاتصال