قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
NTB6412ANT4G
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
رقم القطعة
NTB6412ANT4G
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D2PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
167W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
18.2 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3500pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 8490 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لNTB6412ANT4G
NTB6412ANT4G مكونات الكترونية
NTB6412ANT4G مبيعات
NTB6412ANT4G المورد
NTB6412ANT4G موزع
NTB6412ANT4G جدول البيانات
NTB6412ANT4G الصور
NTB6412ANT4G سعر
NTB6412ANT4G يعرض
NTB6412ANT4G أقل سعر
NTB6412ANT4G يبحث
NTB6412ANT4G شراء
NTB6412ANT4G رقاقة