SI8261BAC-C-ISR
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
رقم القطعة
SI8261BAC-C-ISR
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
Automotive, AEC-Q100
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
Capacitive Coupling
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 125°C
الموافقات
CQC, CSA, UR, VDE
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
عدد القنوات
1
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
الجهد - العرض
6.5 V ~ 30 V
الحالي - الناتج مرتفع ومنخفض
500mA, 1.2A
الجهد - العزلة
3750Vrms
الحالي - ذروة الانتاج
4A
وقت الصعود/السقوط (الطباع)
5.5ns, 8.5ns
الوضع المشترك للمناعة العابرة (الحد الأدنى)
35kV/µs
تأخير الانتشار tpLH / tpHL (الحد الأقصى)
60ns, 50ns
تشويه عرض النبض (الحد الأقصى)
28ns
الجهد - للأمام (Vf) (الطباع)
2.8V (Max)
الحالي - DC للأمام (إذا) (الحد الأقصى)
30mA
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 46081 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSI8261BAC-C-ISR
SI8261BAC-C-ISR مكونات الكترونية
SI8261BAC-C-ISR مبيعات
SI8261BAC-C-ISR المورد
SI8261BAC-C-ISR موزع
SI8261BAC-C-ISR جدول البيانات
SI8261BAC-C-ISR الصور
SI8261BAC-C-ISR سعر
SI8261BAC-C-ISR يعرض
SI8261BAC-C-ISR أقل سعر
SI8261BAC-C-ISR يبحث
SI8261BAC-C-ISR شراء
SI8261BAC-C-ISR رقاقة