STB12NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
رقم القطعة
STB12NK80ZT4
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
SuperMESH™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D2PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
190W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
800V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
750 mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 100µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
87nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2620pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 53666 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSTB12NK80ZT4
STB12NK80ZT4 مكونات الكترونية
STB12NK80ZT4 مبيعات
STB12NK80ZT4 المورد
STB12NK80ZT4 موزع
STB12NK80ZT4 جدول البيانات
STB12NK80ZT4 الصور
STB12NK80ZT4 سعر
STB12NK80ZT4 يعرض
STB12NK80ZT4 أقل سعر
STB12NK80ZT4 يبحث
STB12NK80ZT4 شراء
STB12NK80ZT4 رقاقة