STH275N8F7-6AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
رقم القطعة
STH275N8F7-6AG
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
حزمة جهاز المورد
H2PAK-6
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
315W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
80V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
193nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13600pF @ 50V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 30983 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSTH275N8F7-6AG
STH275N8F7-6AG مكونات الكترونية
STH275N8F7-6AG مبيعات
STH275N8F7-6AG المورد
STH275N8F7-6AG موزع
STH275N8F7-6AG جدول البيانات
STH275N8F7-6AG الصور
STH275N8F7-6AG سعر
STH275N8F7-6AG يعرض
STH275N8F7-6AG أقل سعر
STH275N8F7-6AG يبحث
STH275N8F7-6AG شراء
STH275N8F7-6AG رقاقة