شراء Toshiba Semiconductor and Storage RN4906FE,LF(CT TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

RN4906FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

رقم القطعة

RN4906FE,LF(CT

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

حالة الجزء

Active

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-563, SOT-666

أقصى القوة

100mW

حزمة جهاز المورد

ES6

نوع الترانزستور

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

100mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

50V

تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

100nA (ICBO)

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

التردد - الانتقال

200MHz

المقاوم - القاعدة (R1)

4.7 kOhms

المقاوم - قاعدة الباعث (R2)

47 kOhms

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 36058 PCS

معلومات الاتصال