شراء Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SSM6L09FUTE85LF

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

رقم القطعة

SSM6L09FUTE85LF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

أقصى القوة

300mW

حزمة جهاز المورد

US6

نوع فيت

N and P-Channel

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

400mA, 200mA

Rds On (Max) @ Id، Vgs

700 mOhm @ 200MA, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.8V @ 100µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

20pF @ 5V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 27010 PCS

معلومات الاتصال