شراء Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SSM6N16FUTE85LF

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

رقم القطعة

SSM6N16FUTE85LF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

أقصى القوة

200mW

حزمة جهاز المورد

US6

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Standard

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

100mA

Rds On (Max) @ Id، Vgs

3 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.1V @ 100µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

9.3pF @ 3V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 18982 PCS

معلومات الاتصال