شراء Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TPCC8093,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

رقم القطعة

TPCC8093,L1Q

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

U-MOSVII

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerVDFN

حزمة جهاز المورد

8-TSON Advance (3.3x3.3)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.9W (Ta), 30W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

21A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.2V @ 500µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

16nC @ 5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1860pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

2.5V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±12V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 46165 PCS

معلومات الاتصال