قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRF9Z24SPBF
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
رقم القطعة
IRF9Z24SPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D2PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
280 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
570pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 8710 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF9Z24SPBF
IRF9Z24SPBF مكونات الكترونية
IRF9Z24SPBF مبيعات
IRF9Z24SPBF المورد
IRF9Z24SPBF موزع
IRF9Z24SPBF جدول البيانات
IRF9Z24SPBF الصور
IRF9Z24SPBF سعر
IRF9Z24SPBF يعرض
IRF9Z24SPBF أقل سعر
IRF9Z24SPBF يبحث
IRF9Z24SPBF شراء
IRF9Z24SPBF رقاقة