شراء Vishay Siliconix SI4931DY-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SI4931DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

رقم القطعة

SI4931DY-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

أقصى القوة

1.1W

حزمة جهاز المورد

8-SO

نوع فيت

2 P-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

12V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

6.7A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

18 mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1V @ 350µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

52nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 46202 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC