قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI5915BDC-T1-E3

SI5915BDC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
رقم القطعة
SI5915BDC-T1-E3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SMD, Flat Lead
أقصى القوة
3.1W
حزمة جهاز المورد
1206-8 ChipFET™
نوع فيت
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
8V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
4A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14nC @ 8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
420pF @ 4V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 50705 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI5915BDC-T1-E3
SI5915BDC-T1-E3 مكونات الكترونية
SI5915BDC-T1-E3 مبيعات
SI5915BDC-T1-E3 المورد
SI5915BDC-T1-E3 موزع
SI5915BDC-T1-E3 جدول البيانات
SI5915BDC-T1-E3 الصور
SI5915BDC-T1-E3 سعر
SI5915BDC-T1-E3 يعرض
SI5915BDC-T1-E3 أقل سعر
SI5915BDC-T1-E3 يبحث
SI5915BDC-T1-E3 شراء
SI5915BDC-T1-E3 رقاقة