SI7216DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
رقم القطعة
SI7216DN-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-50°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® 1212-8 Dual
أقصى القوة
20.8W
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8 Dual
نوع فيت
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Standard
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
6A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
32 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
670pF @ 20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 27771 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSI7216DN-T1-GE3
SI7216DN-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI7216DN-T1-GE3 مبيعات
SI7216DN-T1-GE3 المورد
SI7216DN-T1-GE3 موزع
SI7216DN-T1-GE3 جدول البيانات
SI7216DN-T1-GE3 الصور
SI7216DN-T1-GE3 سعر
SI7216DN-T1-GE3 يعرض
SI7216DN-T1-GE3 أقل سعر
SI7216DN-T1-GE3 يبحث
SI7216DN-T1-GE3 شراء
SI7216DN-T1-GE3 رقاقة