قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI7413DN-T1-GE3

SI7413DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
رقم القطعة
SI7413DN-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® 1212-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
15 mOhm @ 13.2A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 400µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.8V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 45496 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI7413DN-T1-GE3
SI7413DN-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI7413DN-T1-GE3 مبيعات
SI7413DN-T1-GE3 المورد
SI7413DN-T1-GE3 موزع
SI7413DN-T1-GE3 جدول البيانات
SI7413DN-T1-GE3 الصور
SI7413DN-T1-GE3 سعر
SI7413DN-T1-GE3 يعرض
SI7413DN-T1-GE3 أقل سعر
SI7413DN-T1-GE3 يبحث
SI7413DN-T1-GE3 شراء
SI7413DN-T1-GE3 رقاقة