قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI8483DB-T2-E1

SI8483DB-T2-E1

MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
رقم القطعة
SI8483DB-T2-E1
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
6-UFBGA
حزمة جهاز المورد
6-Micro Foot™ (1.5x1)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
26 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
800mV @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1840pF @ 6V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.5V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±10V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 51823 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI8483DB-T2-E1
SI8483DB-T2-E1 مكونات الكترونية
SI8483DB-T2-E1 مبيعات
SI8483DB-T2-E1 المورد
SI8483DB-T2-E1 موزع
SI8483DB-T2-E1 جدول البيانات
SI8483DB-T2-E1 الصور
SI8483DB-T2-E1 سعر
SI8483DB-T2-E1 يعرض
SI8483DB-T2-E1 أقل سعر
SI8483DB-T2-E1 يبحث
SI8483DB-T2-E1 شراء
SI8483DB-T2-E1 رقاقة