شراء Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SIHB12N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

رقم القطعة

SIHB12N65E-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

حالة الجزء

Active

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

حزمة جهاز المورد

D²PAK (TO-263)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

156W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

650V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

380 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

70nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1224pF @ 100V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 22485 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIHB065N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2