قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHG20N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC
رقم القطعة
SIHG20N50E-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
TO-247AC
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
179W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
500V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
184 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
92nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1640pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 45910 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSIHG20N50E-GE3
SIHG20N50E-GE3 مكونات الكترونية
SIHG20N50E-GE3 مبيعات
SIHG20N50E-GE3 المورد
SIHG20N50E-GE3 موزع
SIHG20N50E-GE3 جدول البيانات
SIHG20N50E-GE3 الصور
SIHG20N50E-GE3 سعر
SIHG20N50E-GE3 يعرض
SIHG20N50E-GE3 أقل سعر
SIHG20N50E-GE3 يبحث
SIHG20N50E-GE3 شراء
SIHG20N50E-GE3 رقاقة