شراء Vishay Siliconix SIR624DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SIR624DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

رقم القطعة

SIR624DP-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

ThunderFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

PowerPAK® SO-8

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® SO-8

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

52W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

200V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

18.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

60 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

23nC @ 7.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1110pF @ 100V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

7.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 42087 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8