شراء Vishay Siliconix SISS71DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SISS71DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

رقم القطعة

SISS71DN-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

ThunderFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerVDFN

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

57W (Tc)

نوع فيت

P-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

23A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

59 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

15nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1050pF @ 50V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 28345 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-