AGM-Semi (core control source)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
AGM1095M N+P channel 100V 7A/-6A 100mΩ/240mΩ

AGM1095M

N+P channel 100V 7A/-6A 100mΩ/240mΩ
رقم القطعة
AGM1095M
فئة
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
AGM-Semi (core control source)
التغليف
SOP-8
التعبئة
taping
عدد الطرود
3000
وصف
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: One N-channel and one P-channel Drain-source voltage (Vdss): 100V Continuous drain current (Id): 7A/-6A Power (Pd): 2.5W On-resistance (RDS(on )@Vgs, Id: 100mΩ@10V, 6A/240mΩ@-10V, -6A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.6A@250uA/-1.6A@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 25.4nC @10V/33nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.999nF@50V/1.6nF@50V, Vds=100v Id=7A/-6A Rds=100mΩ/240mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@ (Tj)
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 81386 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لAGM1095M
AGM1095M مكونات الكترونية
AGM1095M مبيعات
AGM1095M المورد
AGM1095M موزع
AGM1095M جدول البيانات
AGM1095M الصور
AGM1095M سعر
AGM1095M يعرض
AGM1095M أقل سعر
AGM1095M يبحث
AGM1095M شراء
AGM1095M رقاقة