قد تكون الصورة تمثيلية. راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
AGM1095M
N+P channel 100V 7A/-6A 100mΩ/240mΩ
رقم القطعة
AGM1095M
فئة
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
AGM-Semi (core control source)
التغليف
SOP-8
التعبئة
taping
عدد الطرود
3000
وصف
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: One N-channel and one P-channel Drain-source voltage (Vdss): 100V Continuous drain current (Id): 7A/-6A Power (Pd): 2.5W On-resistance (RDS(on )@Vgs, Id: 100mΩ@10V, 6A/240mΩ@-10V, -6A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.6A@250uA/-1.6A@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 25.4nC @10V/33nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.999nF@50V/1.6nF@50V, Vds=100v Id=7A/-6A Rds=100mΩ/240mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@ (Tj)
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.