شراء onsemi (Ansemi) NCV5106ADR2G Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

onsemi (Ansemi)

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

NCV5106ADR2G

Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side

رقم القطعة

NCV5106ADR2G

فئة

Power Chip > Gate Driver IC

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

onsemi (Ansemi)

التغليف

SOIC-8

التعبئة

taping

عدد الطرود

2500

وصف

The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 93007 PCS

معلومات الاتصال