onsemi (Ansemi)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
NSS35200CF8T1G PNP 35V 2A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 35 V, 2.0 A

NSS35200CF8T1G

PNP 35V 2A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 35 V, 2.0 A
رقم القطعة
NSS35200CF8T1G
فئة
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
التغليف
1206A-03
التعبئة
taping
عدد الطرود
3000
وصف
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 54682 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
NSS30070MR6T1G PNP 30V 700mA 30 V, 0.7 A PNP Low V
NSS30070MR6T1G
PNP 30V 700mA 30 V, 0.7 A PNP Low V
onsemi (Ansemi)
NSS30071MR6T1G NPN 30V 700mA 30 V, 0.7 A NPN Low V
NSS30071MR6T1G
NPN 30V 700mA 30 V, 0.7 A NPN Low V
onsemi (Ansemi)
NSS30100LT1G PNP 30V 1A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 30 V, 1.0 A
NSS30100LT1G
PNP 30V 1A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 30 V, 1.0 A
onsemi (Ansemi)
NSS30101LT1G NPN 30V 1A Low Saturation Transistor, NPN, 30 V, 2.0 A
NSS30101LT1G
NPN 30V 1A Low Saturation Transistor, NPN, 30 V, 2.0 A
onsemi (Ansemi)
NSS30201MR6T1G NPN 30V 2A 30 V, 2.0 A NPN Low V
NSS30201MR6T1G
NPN 30V 2A 30 V, 2.0 A NPN Low V
onsemi (Ansemi)
NSS310 100V 3A 850mV@3A
NSS310
100V 3A 850mV@3A
SY (Shunye)
NSS35200CF8T1G PNP 35V 2A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 35 V, 2.0 A
NSS35200CF8T1G
PNP 35V 2A Low VCE(sat) Transistor, PNP, 35 V, 2.0 A
onsemi (Ansemi)
NSS35200MR6T1G PNP 35V 2A Low Saturation Transistor, PNP, 35 V, 5.0 A
NSS35200MR6T1G
PNP 35V 2A Low Saturation Transistor, PNP, 35 V, 5.0 A
onsemi (Ansemi)
الكلمات الرئيسية لNSS35200CF8T1G
NSS35200CF8T1G مكونات الكترونية
NSS35200CF8T1G مبيعات
NSS35200CF8T1G المورد
NSS35200CF8T1G موزع
NSS35200CF8T1G جدول البيانات
NSS35200CF8T1G الصور
NSS35200CF8T1G سعر
NSS35200CF8T1G يعرض
NSS35200CF8T1G أقل سعر
NSS35200CF8T1G يبحث
NSS35200CF8T1G شراء
NSS35200CF8T1G رقاقة