onsemi (Ansemi)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
NTJD1155LT1G
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
فئة
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
وصف
NTJD1155L integrates P-channel and N-channel MOSFETs in one encapsulation. The device is especially suitable for portable electronic equipment requiring low control signals, low battery voltage and high load current. This P-channel device is designed for use in load switches using ON Semiconductor's advanced trench technology. This N-channel acts as a level shifter with an external resistor (R1) driving the P-channel. The N-channel MOSFET has internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5 V. The NTJD1155L operates from a 1.8 to 8.0 V supply line and can drive loads up to 1.3 A with 8.0 V applied to VIN and VON/OFF.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "
إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى
[email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 67995 PCS