onsemi (Ansemi)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
NTJD1155LT1G Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ

NTJD1155LT1G

Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
رقم القطعة
NTJD1155LT1G
فئة
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
التغليف
SC-88-6
التعبئة
taping
عدد الطرود
3000
وصف
NTJD1155L integrates P-channel and N-channel MOSFETs in one encapsulation. The device is especially suitable for portable electronic equipment requiring low control signals, low battery voltage and high load current. This P-channel device is designed for use in load switches using ON Semiconductor's advanced trench technology. This N-channel acts as a level shifter with an external resistor (R1) driving the P-channel. The N-channel MOSFET has internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5 V. The NTJD1155L operates from a 1.8 to 8.0 V supply line and can drive loads up to 1.3 A with 8.0 V applied to VIN and VON/OFF.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 67995 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لNTJD1155LT1G
NTJD1155LT1G مكونات الكترونية
NTJD1155LT1G مبيعات
NTJD1155LT1G المورد
NTJD1155LT1G موزع
NTJD1155LT1G جدول البيانات
NTJD1155LT1G الصور
NTJD1155LT1G سعر
NTJD1155LT1G يعرض
NTJD1155LT1G أقل سعر
NTJD1155LT1G يبحث
NTJD1155LT1G شراء
NTJD1155LT1G رقاقة