شراء Infineon Technologies IDB09E60ATMA1 DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IDB09E60ATMA1

DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263

رقم القطعة

IDB09E60ATMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

حزمة جهاز المورد

PG-TO263-3

نوع الصمام الثنائي

Standard

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

19.3A (DC)

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

2V @ 9A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

50µA @ 600V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

600V

سرعة

Fast Recovery = 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

75ns

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

-55°C ~ 175°C

السعة @ Vr، F

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 50992 PCS

معلومات الاتصال