قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
STD80N10F7

STD80N10F7

MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
رقم القطعة
STD80N10F7
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
DeepGATE™, STripFET™ VII
حالة الجزء
Discontinued at Digi-Key
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
DPAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
85W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
10 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3100pF @ 50V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 19772 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSTD80N10F7
STD80N10F7 مكونات الكترونية
STD80N10F7 مبيعات
STD80N10F7 المورد
STD80N10F7 موزع
STD80N10F7 جدول البيانات
STD80N10F7 الصور
STD80N10F7 سعر
STD80N10F7 يعرض
STD80N10F7 أقل سعر
STD80N10F7 يبحث
STD80N10F7 شراء
STD80N10F7 رقاقة