شراء Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121(Q) IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

GT50J121(Q)

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

رقم القطعة

GT50J121(Q)

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tube

نوع الإدخال

Standard

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-3PL

أقصى القوة

240W

حزمة جهاز المورد

TO-3P(LH)

عكس وقت الاسترداد (trr)

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

50A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

600V

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

التيار - النبض المجمع (Icm)

100A

تبديل الطاقة

1.3mJ (on), 1.34mJ (off)

اجره البوابه

Td (تشغيل/إيقاف) عند 25 درجة مئوية

90ns/300ns

شرط الاختبار

300V, 50A, 13 Ohm, 15V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 33572 PCS

معلومات الاتصال