شراء Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X5,S1F MOSFET N-CH 600V 25A TO247

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TK25N60X5,S1F

MOSFET N-CH 600V 25A TO247

رقم القطعة

TK25N60X5,S1F

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

DTMOSIV-H

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-247-3

حزمة جهاز المورد

TO-247

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

180W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

600V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

25A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

140 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4.5V @ 1.2mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

60nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2400pF @ 300V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 8940 PCS

معلومات الاتصال