شراء Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W,S1VQ MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TK6Q60W,S1VQ

MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK

رقم القطعة

TK6Q60W,S1VQ

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

DTMOSIV

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-251-3 Stub Leads, IPak

حزمة جهاز المورد

I-PAK

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

60W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

Super Junction

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

600V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

6.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

820 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.7V @ 310µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

12nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

390pF @ 300V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 32098 PCS

معلومات الاتصال